Smart 30W отверстия PD телефон зарядное устройство быстрой зарядки адаптер питания
USB C 30W Pd быстро ChargerUSB C 30W Pd быстро ChargerUSB C 30W Pd быстро ChargerUSB C 30W Pd быстро ChargerUSB C 30W Pd быстрое зарядное устройство

Для традиционных полупроводниковых материалов, высокая частота коммутации может привести к высокой коммутации потерь, в то время как без потерь характеристики Ган материал может снизить тепловыделение,
При одновременном увеличении частота коммутации может уменьшить объем трансформаторов и конденсаторов, которая будет способствовать сокращению масштабов зарядное устройство объем и вес.
В настоящее время, что быстрая зарядка аккумуляторной батареи питания становится выше и выше и для массового производства Ган зарядные устройства для использования в гражданских целях можно сказать, представляет собой развитие направления зарядные устройства в будущем.
Хотя в настоящее время цена является сравнительно высоким, он считает, что в ближайшем будущем в качестве технологии Ган материалов становится более зрелой и более популярными, и стоимость Ган зарядные устройства станут ниже и ниже.

Галлия nitride, молекулярная формула Ган, название на английском языке галлия nitride, представляет собой сложное азота и галлия. Это прямое bandgap (прямой bandgap) полупроводников и в настоящее время используется в быстрой подзарядки, зарядные устройства.
Производительность - это широкое признание со стороны покупателей. Будет весьма широкий рынок в ближайшие 1-3 лет.